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LPKF ProtoPlate LDS

LPKF ProtoPlate LDS

3D-MIDへのめっき加工

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特徴
ProtoPlate LDSはMID試作の最後の工程-めっき工程をサポートします。まずはレーザー照射により3Dプラスチック部品上に回路パターンを形成します。回路パターン上に無電解銅めっき工程を行った後に、銅や他の金属の層を析出させます。

ビーカーで回路パターンを作成

ProtoPlate LDSによってめっきの手間は大きく軽減します。多くの化学的知識を必要とせずにMIDをめっきすることができます。

コーヒーを入れるように簡単なプロセスを実現

めっきは非常に簡単です。
洗浄された部品をめっき浴に浸すと、めっきが数分で開始されます。めっき時間に応じて銅層が3um~10umの厚さでプラスチック部品上に形成されます。部品を取り出し、洗浄してめっき工程終了です。

動画


技術データ
Technical Specifications: LPKF ProtoPlate
Enclosure size (W x H x D) 413 mm x 706 mm x 479 mm
重量 23 kg
電源 230 V AC, 50 Hz / 110 V AC, 60 Hz
使用電力 600 VA
使用環境 20 °C ~24 °C (室温)
ケミカルセットCU*
    品質保持期間、保存方法 未開封で1年間
    保存条件 5° C to 25° C, 乾燥状態


* For further details, see chemical safety data sheets and user manual

パンフレット


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